Name: FDMS4D0N12C
Brand: onsemi
SKU: FDMS4D0N12COSTR-ND
Price: 4.344 EUR
Availability: OutOfStock

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FDMS4D0N12C
Numéro de produit DigiKey	FDMS4D0N12COSTR-ND - Bande et bobine FDMS4D0N12COSCT-ND - Bande coupée (CT) FDMS4D0N12COSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMS4D0N12C
Description	MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	30 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 120 V 18,5 A (Ta), 114 A (Tc) 2,7W (Ta), 106W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	120 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	18,5 A (Ta), 114 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4mohms à 67A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 370 A
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6460 pF @ 60 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,7W (Ta), 106W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-PQFN (5x6)
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	FDMS4