Name: FDMS86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDMS86102LZTR-ND
Price: 2.616 EUR
Availability: OutOfStock

FDMS86102LZ est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Similaire

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

En stock: 0

Prix unitaire : 1,42000 €

Similaire

Panjit International Inc.

En stock: 0

Prix unitaire : 1,14000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDMS86102LZ
Numéro de produit DigiKey	FDMS86102LZTR-ND - Bande et bobine FDMS86102LZCT-ND - Bande coupée (CT) FDMS86102LZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMS86102LZ
Description	MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 7 A (Ta), 22 A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDMS86102LZ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7 A (Ta), 22 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	25mohms à 7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1305 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 69W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-PQFN (5x6)
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	FDMS86102