Name: FDMS86263P
Brand: onsemi
SKU: FDMS86263PTR-ND
Price: 3.624 EUR
Availability: OutOfStock

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FDMS86263P
Numéro de produit DigiKey	FDMS86263PTR-ND - Bande et bobine FDMS86263PCT-ND - Bande coupée (CT) FDMS86263PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMS86263P
Description	MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 150 V 4,4 A (Ta), 22 A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDMS86263P Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,4 A (Ta), 22 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	53mohms à 4,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3905 pF @ 75 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-PQFN (5x6)
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	FDMS86263