Name: FDS86242
Brand: onsemi
SKU: FDS86242TR-ND
Price: 1.032 EUR
Availability: OutOfStock

FDS86242 est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Similaire

Panjit International Inc.

En stock: 2 170

Prix unitaire : 1,33000 €

Similaire

Rohm Semiconductor

En stock: 2 360

Prix unitaire : 2,19000 €

Similaire

Rohm Semiconductor

En stock: 8

Prix unitaire : 2,96000 €

Similaire

STMicroelectronics

En stock: 0

Prix unitaire : 2,15000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDS86242
Numéro de produit DigiKey	FDS86242TR-ND - Bande et bobine FDS86242CT-ND - Bande coupée (CT) FDS86242DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDS86242
Description	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 4,1 A (Ta) 2,5W (Ta), 5W (Tc) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDS86242 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,1 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	67mohms à 4,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	760 pF @ 75 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	FDS86