Name: FDT457N
Brand: onsemi
SKU: FDT457NTR-ND
Price: 1.392 EUR
Availability: OutOfStock

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FDT457N
Numéro de produit DigiKey	FDT457NTR-ND - Bande et bobine FDT457NCT-ND - Bande coupée (CT) FDT457NDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDT457N
Description	MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 5 A (Ta) 3W (Ta) Montage en surface SOT-223-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDT457N Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	60mohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	5.9 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	235 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta)
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223-4
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	FDT457