Name: FDT86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDT86102LZFSTR-ND
Price: 1.74 EUR
Availability: OutOfStock

FDT86102LZ est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Direct

Infineon Technologies

En stock: 0

Prix unitaire : 0,00000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDT86102LZ
Numéro de produit DigiKey	FDT86102LZFSTR-ND - Bande et bobine FDT86102LZFSCT-ND - Bande coupée (CT) FDT86102LZFSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDT86102LZ
Description	MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 6,6 A (Ta) 2,2W (Ta) Montage en surface SOT-223-4
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	28mohms à 6,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1490 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223-4
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	FDT86102