FQA6N90C-F109 On Semi | Transistors - FET, MOSFET - Simples

FQA6N90C-F109 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Renesas Electronics Corporation

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Prix unitaire : 0,00000 €

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FQA6N90C-F109
Numéro de produit DigiKey	FQA6N90C-F109-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQA6N90C-F109
Description	MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN
Référence client
Description détaillée	Canal N 900 V 6 A (Tc) 198W (Tc) Trou traversant TO-3PN
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FQA6N90C-F109 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	900 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,3ohms à 3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1770 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	198W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-3PN
Boîtier	TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base	FQA6