FQB1P50TM On Semi | Transistors - FET, MOSFET - Simples

FQB1P50TM est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Prix unitaire : 3,40000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FQB1P50TM
Numéro de produit DigiKey	FQB1P50TMTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQB1P50TM
Description	MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal P 500 V 1,5 A (Tc) 3,13W (Ta), 63W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	10,5ohms à 750mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	350 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,13W (Ta), 63W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	FQB1P50