Name: FQB22P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB22P10TMTR-ND
Price: 2.388 EUR
Availability: OutOfStock

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FQB22P10TM
Numéro de produit DigiKey	FQB22P10TMTR-ND - Bande et bobine FQB22P10TMCT-ND - Bande coupée (CT) FQB22P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQB22P10TM
Description	MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	9 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 22 A (Tc) 3,75W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	22 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	125mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1500 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,75W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	FQB22P10

Prix unitaire sans TVA:	1,99000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,38800 €

FQB22P10TM