FQB34P10TM-F085P On Semi | Transistors - FET, MOSFET - Simples

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Équivalent paramétrique

FQB34P10TM

onsemi

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Prix unitaire : 3,33000 €

Fiche technique

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FQB34P10TM-F085P
Numéro de produit DigiKey	FQB34P10TM-F085P-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQB34P10TM-F085P
Description	MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 33,5 A (Tc) 3,75W (Ta), 155W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	33,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	60mohms à 16,75A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2910 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,75W (Ta), 155W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	FQB34

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Devis du fabricant requis

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