Name: FQD11P06TM
Brand: onsemi
SKU: FQD11P06TMTR-ND
Price: 1.548 EUR
Availability: OutOfStock

FQD11P06TM est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Similaire

Diodes Incorporated

En stock: 0

Prix unitaire : 0,70000 €

Similaire

Infineon Technologies

En stock: 0

Prix unitaire : 0,00000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FQD11P06TM
Numéro de produit DigiKey	FQD11P06TMTR-ND - Bande et bobine FQD11P06TMCT-ND - Bande coupée (CT) FQD11P06TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQD11P06TM
Description	MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	10 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 9,4 A (Tc) 2,5W (Ta), 38W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FQD11P06TM Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9,4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	185mohms à 4,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	550 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 38W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	FQD11P06