Name: FQD13N10LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD13N10LTMTR-ND
Price: 0.936 EUR
Availability: OutOfStock

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FQD13N10LTM
Numéro de produit DigiKey	FQD13N10LTMTR-ND - Bande et bobine FQD13N10LTMCT-ND - Bande coupée (CT) FQD13N10LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQD13N10LTM
Description	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	6 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 10 A (Tc) 2,5W (Ta), 40W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	180mohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	520 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 40W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	FQD13N10