FQD1N60CTM est obsolète et n'est plus fabriqué.

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FQD1N60CTM
Numéro de produit DigiKey	FQD1N60CTMTR-ND - Bande et bobine FQD1N60CTMCT-ND - Bande coupée (CT) FQD1N60CTMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQD1N60CTM
Description	MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 1 A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	11,5ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	170 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 28W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	FQD1N60