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FQH8N100C

Numéro de produit DigiKey
FQH8N100C-ND
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
FQH8N100C
Description
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
10 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1000 V 8 A (Tc) 225W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
QFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,45ohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3220 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
225W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247-3
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
FQH8N100
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Disponible sur commande
Stock usine : 2 700
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
14,86000 €4,86 €
302,94500 €88,35 €
1202,45417 €294,50 €
5102,16996 €1 106,68 €
1 0202,06049 €2 101,70 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:4,86000 €
Prix unitaire avec TVA:5,83200 €