FQP12P10 On Semi | Transistors - FET, MOSFET - Simples

FQP12P10 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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FQP12P10
Numéro de produit DigiKey	FQP12P10-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQP12P10
Description	MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 11,5 A (Tc) 75W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FQP12P10 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	290mohms à 5,75A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	800 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	75W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	FQP12