FQPF2N80YDTU On Semi | Transistors - FET, MOSFET - Simples

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FQPF2N80YDTU
Numéro de produit DigiKey	FQPF2N80YDTU-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQPF2N80YDTU
Description	MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 1,5 A (Tc) 35W (Tc) Trou traversant TO-220F-3 (Y-Forming)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FQPF2N80YDTU Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6,3ohms à 750mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	550 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	35W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220F-3 (Y-Forming)
Boîtier	TO-220-3 boîtier complet, broches formées
Numéro de produit de base	FQPF2

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	3,10000 €	3,10 €
50	1,54260 €	77,13 €
100	1,39140 €	139,14 €
500	1,12648 €	563,24 €
1 000	1,04136 €	1 041,36 €
2 000	0,98238 €	1 964,76 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.