
FQT1N80TF-WS | |
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Numéro de produit DigiKey | FQT1N80TF-WSTR-ND - Bande et bobine FQT1N80TF-WSCT-ND - Bande coupée (CT) FQT1N80TF-WSDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FQT1N80TF-WS |
Description | MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 200mA (Tc) 2,1W (Tc) Montage en surface SOT-223-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FQT1N80TF-WS Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 800 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 20ohms à 100mA, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 7.2 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±30V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 195 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2,1W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | SOT-223-3 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 1,07000 € | 1,07 € |
10 | 0,71600 € | 7,16 € |
100 | 0,50400 € | 50,40 € |
500 | 0,43448 € | 217,24 € |
1 000 | 0,39615 € | 396,15 € |
2 000 | 0,38141 € | 762,82 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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4 000 | 0,32956 € | 1 318,24 € |
8 000 | 0,31663 € | 2 533,04 € |
Prix unitaire sans TVA: | 1,07000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 1,28400 € |