FQT4N20LTF On Semi | Transistors - FET, MOSFET - Simples

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FQT4N20LTF
Numéro de produit DigiKey	FQT4N20LTFTR-ND - Bande et bobine FQT4N20LTFCT-ND - Bande coupée (CT) FQT4N20LTFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQT4N20LTF
Description	MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 850mA (Tc) 2,2W (Tc) Montage en surface SOT-223-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FQT4N20LTF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	850mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,35ohms à 425mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	5.2 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	310 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,2W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223-4
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	FQT4N20