FQU1N60CTU est obsolète et n'est plus fabriqué.
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FQU1N60CTU

Numéro de produit DigiKey
FQU1N60CTUFS-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FQU1N60CTU
Description
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 1 A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Trou traversant IPAK
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
11,5ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
170 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2,5W (Ta), 28W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
IPAK
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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