HUF75639S3 On Semi | Transistors - FET, MOSFET - Simples

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HUF75639S3
Numéro de produit DigiKey	HUF75639S3-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	HUF75639S3
Description	MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 56 A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-262 (I2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	UltraFET™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	56 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	25mohms à 56A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	130 nC @ 20 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2000 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	200W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-262 (I2PAK)
Boîtier	TO-262-3 broches longues, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base	HUF75639