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MTB50P03HDLT4G est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
MTB50P03HDLT4G | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | MTB50P03HDLT4GOSTR-ND - Bande et bobine MTB50P03HDLT4GOSCT-ND - Bande coupée (CT) MTB50P03HDLT4GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | MTB50P03HDLT4G |
Description | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 50 A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface D2PAK |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 5V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 25mohms à 25A, 5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 100 nC @ 5 V | |
Vgs (max.) | ±15V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 4900 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2,5W (Ta), 125W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | D2PAK | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Obsolète
Non annulable/Non remboursable
France