NCP81075DR2G onsemi | Circuits intégrés

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NCP81075DR2G
Numéro de produit DigiKey	NCP81075DR2GOSTR-ND - Bande et bobine NCP81075DR2GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NCP81075DR2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NCP81075DR2G
Description	IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Référence client
Description détaillée	Haut potentiel ou bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NCP81075DR2G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Circuits intégrés Gestion de l'alimentation (PMIC) Circuits d'attaque de grille
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Programmable DigiKey	Non vérifié
Configuration	Haut potentiel ou bas potentiel
Type de canal	Indépendant
Nombre de circuits d'attaque	2
Type de grille	MOSFET (canal N)
Tension - Alimentation	8,5V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH	0,8V, 2,7V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)	4A, 4A
Type d'entrée	Sans inversion
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)	200 V
Temps de montée / descente (typ.)	8ns, 7ns
Température de fonctionnement	-40°C ~ 140°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	NCP81075