NSBC123JF3T5G est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Similaire

Toshiba Semiconductor and Storage

En stock: 0

Prix unitaire : 0,00000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NSBC123JF3T5G
Numéro de produit DigiKey	NSBC123JF3T5G-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NSBC123JF3T5G
Description	TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples prépolarisés NPN - Prépolarisé 50 V 100 mA 254 mW Montage en surface SOT-1123
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NSBC123JF3T5G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires prépolarisés, simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de transistor	NPN - Prépolarisé
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	100 mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	50 V
Résistances incluses	R1 et R2
Résistance - Base (R1)	2.2 kOhms
Résistance - Base d'émetteur (R2)	47 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce	80 à 5mA, 10V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic	250mV à 1mA, 10mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	500nA
Puissance - Max.	254 mW
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-1123
Boîtier fournisseur	SOT-1123
Numéro de produit de base	NSBC123