Name: NTBG160N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG160N120SC1TR-ND
Price: 7.896 EUR
Availability: OutOfStock

NTBG160N120SC1 est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Similaire

GeneSiC Semiconductor

En stock: 0

Prix unitaire : 4,52854 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NTBG160N120SC1
Numéro de produit DigiKey	5556-NTBG160N120SC1TR-ND - Bande et bobine 5556-NTBG160N120SC1CT-ND - Bande coupée (CT) 5556-NTBG160N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTBG160N120SC1
Description	SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	6 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 19,5 A (Tc) 136W (Tc) Montage en surface D2PAK-7
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTBG160N120SC1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	19,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	224mohms à 12A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	4,3V à 2,5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	33.8 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+25V, -15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	678 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	136W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK-7
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Numéro de produit de base	NTBG160