Name: NTD18N06LT4G
Brand: onsemi
SKU: NTD18N06LT4GOSTR-ND
Price: 1.2 EUR
Availability: OutOfStock

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NTD18N06LT4G
Numéro de produit DigiKey	NTD18N06LT4GOSTR-ND - Bande et bobine NTD18N06LT4GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTD18N06LT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTD18N06LT4G
Description	MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 18 A (Ta) 2,1W (Ta), 55W (Tj) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTD18N06LT4G Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	18 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	65mohms à 9A, 5V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	675 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,1W (Ta), 55W (Tj)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DPAK
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	NTD18

Prix unitaire sans TVA:	1,00000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,20000 €

NTD18N06LT4G