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NTD4813NHT4G
Numéro de produit DigiKey	NTD4813NHT4GOSTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTD4813NHT4G
Description	MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 7,6 A (Ta), 40 A (Tc) 1,27W (Ta), 35,3W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7,6 A (Ta), 40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 11,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	13mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	940 pF @ 12 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,27W (Ta), 35,3W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DPAK
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	NTD4813

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