NTF3055-100T1G-IRH1 On Semi | Transistors - FET, MOSFET - Simples

NTF3055-100T1G-IRH1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Recommandation fabricant

onsemi

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Prix unitaire : 1,02000 €

Équivalent paramétrique

onsemi

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NTF3055-100T1G-IRH1
Numéro de produit DigiKey	NTF3055-100T1G-IRH1-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTF3055-100T1G-IRH1
Description	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 3 A (Ta) 1,3W (Ta) Montage en surface SOT-223 (TO-261)

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	110mohms à 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	455 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,3W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223 (TO-261)
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	NTF3055