NTGS3130NT1G On Semi | Transistors - FET, MOSFET - Simples

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NTGS3130NT1G
Numéro de produit DigiKey	NTGS3130NT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTGS3130NT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTGS3130NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTGS3130NT1G
Description	MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 4,23 A (Ta) 600mW (Ta) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTGS3130NT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,23 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	24mohms à 5,6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	20.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	935 pF @ 16 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	600mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-TSOP
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Numéro de produit de base	NTGS3130