Name: NTH4L015N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L015N065SC1-ND
Price: 25.152 EUR
Availability: OutOfStock

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NTH4L015N065SC1
Numéro de produit DigiKey	5556-NTH4L015N065SC1-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTH4L015N065SC1
Description	SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	6 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 142 A (Tc) 500W (Tc) Trou traversant TO-247-4L
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	142 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	18mohms à 75A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4,3V à 25mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	283 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4790 pF @ 325 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-4L
Boîtier	TO-247-4

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Stock usine : 5 400

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	20,96000 €	20,96 €
30	15,65533 €	469,66 €
120	14,97233 €	1 796,68 €

Conditionnement standard du fabricant

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