Name: NTHD3100CT1G
Brand: onsemi
SKU: NTHD3100CT1GOSTR-ND
Price: 1.608 EUR
Availability: OutOfStock

NTHD3100CT1G est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Similaire

Rohm Semiconductor

En stock: 0

Prix unitaire : 0,00000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NTHD3100CT1G
Numéro de produit DigiKey	NTHD3100CT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTHD3100CT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTHD3100CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTHD3100CT1G
Description	MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 2,9 A, 3,2 A 1,1W Montage en surface ChipFET™
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTHD3100CT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,9 A, 3,2 A
Rds On (max.) à Id, Vgs	80mohms à 2,9A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	2,3nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	165pF à 10V
Puissance - Max.	1,1W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SMD, broches plates
Boîtier fournisseur	ChipFET™
Numéro de produit de base	NTHD3100