Name: NTHL022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTHL022N120M3S-ND
Price: 18.312 EUR
Availability: OutOfStock

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NTHL022N120M3S
Numéro de produit DigiKey	5556-NTHL022N120M3S-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTHL022N120M3S
Description	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	10 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 68 A (Tc) 352W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	68 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	30mohms à 40A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4,4V à 20mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	139 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3130 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	352W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-3
Boîtier	TO-247-3

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Disponible sur commande

Stock usine : 11 250

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	15,26000 €	15,26 €
10	11,33500 €	113,35 €
450	9,35724 €	4 210,76 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.