Name: NTJD5121NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTJD5121NT1GOSTR-ND
Price: 0.288 EUR
Availability: InStock

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NTJD5121NT1G
Numéro de produit DigiKey	NTJD5121NT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTJD5121NT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTJD5121NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTJD5121NT1G
Description	MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 295mA 250mW Montage en surface SC-88/SC70-6/SOT-363
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTJD5121NT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	295mA
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,6ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0,9nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	26pF à 20V
Puissance - Max.	250mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Boîtier fournisseur	SC-88/SC70-6/SOT-363
Numéro de produit de base	NTJD5121

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Bande et bobine