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NTJS4151PT1G
Numéro de produit DigiKey	NTJS4151PT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTJS4151PT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTJS4151PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTJS4151PT1G
Description	MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 3,3 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface SC-88/SC70-6/SOT-363
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTJS4151PT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	60mohms à 3,3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	850 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SC-88/SC70-6/SOT-363
Boîtier	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de produit de base	NTJS4151

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