Name: NTLJD3119CTBG
Brand: onsemi
SKU: NTLJD3119CTBGOSTR-ND
Price: 1.284 EUR
Availability: OutOfStock

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NTLJD3119CTBG
Numéro de produit DigiKey	NTLJD3119CTBGOSTR-ND - Bande et bobine NTLJD3119CTBGOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTLJD3119CTBGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTLJD3119CTBG
Description	MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 2,6 A, 2,3 A 710mW Montage en surface 6-WDFN (2x2)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTLJD3119CTBG Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	µCool™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,6 A, 2,3 A
Rds On (max.) à Id, Vgs	65mohms à 3,8A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3,7nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	271pF à 10V
Puissance - Max.	710mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-WDFN plot exposé
Boîtier fournisseur	6-WDFN (2x2)
Numéro de produit de base	NTLJD3119