Name: NTMFS002P03P8ZT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS002P03P8ZT1GTR-ND
Price: 3.516 EUR
Availability: OutOfStock

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NTMFS002P03P8ZT1G
Numéro de produit DigiKey	488-NTMFS002P03P8ZT1GTR-ND - Bande et bobine 488-NTMFS002P03P8ZT1GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTMFS002P03P8ZT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMFS002P03P8ZT1G
Description	MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 40,2A (Ta), 263A (Tc) 3,3W (Ta), 138,9W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	40,2A (Ta), 263A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,4mohms à 23A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	217 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	14950 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,3W (Ta), 138,9W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Boîtier	8-PowerTDFN, 5 sorties