Name: NTMFSC4D2N10MC
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFSC4D2N10MCTR-ND
Price: 3.804 EUR
Availability: OutOfStock

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NTMFSC4D2N10MC
Numéro de produit DigiKey	488-NTMFSC4D2N10MCTR-ND - Bande et bobine 488-NTMFSC4D2N10MCCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTMFSC4D2N10MCDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMFSC4D2N10MC
Description	MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 29,6A (Ta), 116A (Tc) 7,9W (Ta), 122W (Tc) Montage en surface 8-DFN (5x6,15)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTMFSC4D2N10MC Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	29,6A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,3mohms à 44A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2856 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	7,9W (Ta), 122W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-DFN (5x6,15)
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	NTMFSC4