Name: NTMTS0D7N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTS0D7N04CTXGTR-ND
Price: 3.264 EUR
Availability: OutOfStock

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NTMTS0D7N04CTXG
Numéro de produit DigiKey	488-NTMTS0D7N04CTXGTR-ND - Bande et bobine 488-NTMTS0D7N04CTXGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTMTS0D7N04CTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMTS0D7N04CTXG
Description	MOSFET N-CH 40V 65A/420A 8DFNW
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 65A (Ta), 420A (Tc) 4,9W (Ta), 205W (Tc) Montage en surface 8-DFNW (8,3x8,4)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTMTS0D7N04CTXG Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	65A (Ta), 420A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,67mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	9230 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	4,9W (Ta), 205W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-DFNW (8,3x8,4)
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	NTMTS0