Name: NTMTS0D7N06CLTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTS0D7N06CLTXGTR-ND
Price: 4.32 EUR
Availability: OutOfStock

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NTMTS0D7N06CLTXG
Numéro de produit DigiKey	488-NTMTS0D7N06CLTXGTR-ND - Bande et bobine 488-NTMTS0D7N06CLTXGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTMTS0D7N06CLTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMTS0D7N06CLTXG
Description	MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	99 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 62,2A (Ta), 477A (Tc) 5W (Ta), 294,6W (Tc) Montage en surface 8-DFNW (8,3x8,4)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTMTS0D7N06CLTXG Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	62,2A (Ta), 477A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,68mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	225 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	16200 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	5W (Ta), 294,6W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-DFNW (8,3x8,4)
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	NTMTS0