
NTTFD1D8N02P1E | |
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Numéro de produit DigiKey | 488-NTTFD1D8N02P1E-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NTTFD1D8N02P1E |
Description | MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 19 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 25V 11A (Ta), 21A (Ta) 800mW (Ta), 900mW (Ta) Montage en surface 8-PQFN (3,3x3,3) |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | onsemi | |
Série | ||
Conditionnement | En vrac | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 à canal N (double), asymétriques | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 25V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 11A (Ta), 21A (Ta) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 4,2mohms à 15A, 10V, 1,4mohms à 29A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2V à 190µA, 2V à 310µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 5,5nC à 4,5V, 17nC à 4,5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 873pF à 15V, 2700pF à 15V | |
Puissance - Max. | 800mW (Ta), 900mW (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-PowerWDFN | |
Boîtier fournisseur | 8-PQFN (3,3x3,3) |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 1,93000 € | 1,93 € |
10 | 1,23700 € | 12,37 € |
100 | 0,84110 € | 84,11 € |
500 | 0,67146 € | 335,73 € |
1 000 | 0,61693 € | 616,93 € |
3 000 | 0,54770 € | 1 643,10 € |
6 000 | 0,52954 € | 3 177,24 € |
Prix unitaire sans TVA: | 1,93000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 2,31600 € |