Name: NTTFD4D1N03P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFD4D1N03P1ETR-ND
Price: 2.064 EUR
Availability: OutOfStock

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NTTFD4D1N03P1E
Numéro de produit DigiKey	488-NTTFD4D1N03P1ETR-ND - Bande et bobine 488-NTTFD4D1N03P1ECT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTTFD4D1N03P1EDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTTFD4D1N03P1E
Description	MOSFET 2N-CH 30V 12A 12WQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 12 A (Ta), 54 A (Tc) 1W (Ta), 20W (Tc) Montage en surface 12-WQFN (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTTFD4D1N03P1E Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12 A (Ta), 54 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,3mohms à 10A, 10V, 3,5mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 270µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15nC à 10V, 14nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1103pF à 15V, 972pF à 15V
Puissance - Max.	1W (Ta), 20W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	12-PowerWQFN
Boîtier fournisseur	12-WQFN (3,3x3,3)
Numéro de produit de base	NTTFD4