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NVD5414NT4G-VF01
Numéro de produit DigiKey	488-NVD5414NT4G-VF01TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVD5414NT4G-VF01
Description	MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 24 A (Tc) 55W (Tc) Montage en surface DPAK-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVD5414NT4G-VF01 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	24 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	37mohms à 24A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1200 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	55W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DPAK-3
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	NVD5414