NVD6495NLT4G-VF01 On Semi | Transistors - FET, MOSFET - Simples

NVD6495NLT4G-VF01 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

onsemi

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Prix unitaire : 0,75000 €

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NVD6495NLT4G-VF01
Numéro de produit DigiKey	NVD6495NLT4G-VF01OSTR-ND - Bande et bobine NVD6495NLT4G-VF01OSCT-ND - Bande coupée (CT) NVD6495NLT4G-VF01OSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVD6495NLT4G-VF01
Description	MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 25 A (Tc) 83W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVD6495NLT4G-VF01 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	25 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	50mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1024 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	83W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DPAK
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	NVD6495