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NVF3055-100T1G
Numéro de produit DigiKey	NVF3055-100T1GOSTR-ND - Bande et bobine NVF3055-100T1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVF3055-100T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVF3055-100T1G
Description	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 3 A (Ta) 1,3W (Ta) Montage en surface SOT-223 (TO-261)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVF3055-100T1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	110mohms à 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	455 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,3W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223 (TO-261)
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	NVF3055