Name: NVMFD5C650NLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFD5C650NLT1GOSTR-ND
Price: 4.968 EUR
Availability: OutOfStock

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NVMFD5C650NLT1G
Numéro de produit DigiKey	NVMFD5C650NLT1GOSTR-ND - Bande et bobine NVMFD5C650NLT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVMFD5C650NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMFD5C650NLT1G
Description	MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 21 A (Ta), 111 A (Tc) 3,5W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVMFD5C650NLT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	21 A (Ta), 111 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,2mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 98µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	16nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2546pF à 25V
Puissance - Max.	3,5W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-PowerTDFN
Boîtier fournisseur	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Numéro de produit de base	NVMFD5