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NTMFS5C430NT1G
onsemi
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Équivalent paramétrique

NVMFS5C430NAFT1G
onsemi
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Fiche technique

Équivalent paramétrique

NVMFS5C430NWFAFT1G
onsemi
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Fiche technique
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5-DFN, 8-SO Flat Lead
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NVMFS5C430NWFAFT3G

Numéro de produit DigiKey
NVMFS5C430NWFAFT3G-ND - Bande et bobine
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NVMFS5C430NWFAFT3G
Description
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Référence client
Description détaillée
Canal N 40 V 35 A (Ta), 185 A (Tc) 3,8W (Ta), 106W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
35 A (Ta), 185 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,7mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3300 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3,8W (Ta), 106W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Boîtier
8-PowerTDFN, 5 sorties
Numéro de produit de base
NVMFS5
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Disponible sur commande
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Non recommandé pour une nouvelle conception, des quantités minimum peuvent s'appliquer. Voir Produits de substitution.
Non annulable/Non remboursable
Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
5 0000,96822 €4 841,10 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,96822 €
Prix unitaire avec TVA:1,16186 €