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NVMFS5C442NLAFT1G
onsemi
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Équivalent paramétrique

NVMFS5C442NLAFT3G
onsemi
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NVMFS5C442NLWFAFT1G
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5-DFN, 8-SO Flat Lead
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NVMFS5C442NLWFAFT3G

Numéro de produit DigiKey
NVMFS5C442NLWFAFT3G-ND - Bande et bobine
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NVMFS5C442NLWFAFT3G
Description
MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
Référence client
Description détaillée
Canal N 40 V 29 A (Ta), 130 A (Tc) 3,7W (Ta), 83W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
29 A (Ta), 130 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
2,5mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3100 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3,7W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Boîtier
8-PowerTDFN, 5 sorties
Numéro de produit de base
NVMFS5
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Devis du fabricant requis
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