
NVTFS5116PLTWG | |
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Numéro de produit DigiKey | NVTFS5116PLTWGOSTR-ND - Bande et bobine NVTFS5116PLTWGOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVTFS5116PLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NVTFS5116PLTWG |
Description | MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 15 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 60 V 6 A (Ta) 3,2W (Ta), 21W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | NVTFS5116PLTWG Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 60 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 52mohms à 7A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 25 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1258 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 3,2W (Ta), 21W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | Automobile | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 8-WDFN (3,3x3,3) | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 1,00000 € | 1,00 € |
10 | 0,72800 € | 7,28 € |
100 | 0,57020 € | 57,02 € |
500 | 0,44300 € | 221,50 € |
1 000 | 0,43557 € | 435,57 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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5 000 | 0,36895 € | 1 844,75 € |
10 000 | 0,35586 € | 3 558,60 € |
Prix unitaire sans TVA: | 1,00000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 1,20000 € |