NXH004P120M3F2PTNG
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NXH004P120M3F2PTNG
NXH004P120M3F2PTNG
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH003P120M3F2PTNG

Numéro de produit DigiKey
5556-NXH003P120M3F2PTNG-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NXH003P120M3F2PTNG
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
10 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 435A (Tj) 1,48kW (Tj) Montage sur châssis 36-PIM (56,7x62,8)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Plateau
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
435A (Tj)
Rds On (max.) à Id, Vgs
5mohms à 200A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4,4V à 160mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
1200nC à 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
20889pF à 800V
Puissance - Max.
1,48kW (Tj)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
36-PIM (56,7x62,8)
Numéro de produit de base
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Disponible sur commande
Stock usine : 60
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Tous les prix sont en EUR
Plateau
Quantité Prix unitaire Prix total
1191,80000 €191,80 €
20182,80400 €3 656,08 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:191,80000 €
Prix unitaire avec TVA:230,16000 €