NFAM3065L4BL
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NFAM3065L4BL
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH011T120M3F2PTHG

Numéro de produit DigiKey
5556-NXH011T120M3F2PTHG-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NXH011T120M3F2PTHG
Description
MOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
10 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 91 A (Tc) 272W (Tj) Montage sur châssis 29-PIM (56,7x42,5)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Plateau
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
4 canaux N (onduleur solaire)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
91 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
16mohms à 70A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4,4V à 40mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
306nC à 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
6331pF à 800V
Puissance - Max.
272W (Tj)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
29-PIM (56,7x42,5)
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

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Disponible sur commande
Stock usine : 13 860
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Tous les prix sont en EUR
Plateau
Quantité Prix unitaire Prix total
197,11000 €97,11 €
2082,19550 €1 643,91 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:97,11000 €
Prix unitaire avec TVA:116,53200 €