Name: RFD3055LESM9A
Brand: onsemi
SKU: RFD3055LESM9ATR-ND
Price: 0.72 EUR
Availability: InStock

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RFD3055LESM9A
Numéro de produit DigiKey	RFD3055LESM9ATR-ND - Bande et bobine RFD3055LESM9ACT-ND - Bande coupée (CT) RFD3055LESM9ADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	RFD3055LESM9A
Description	MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 11 A (Tc) 38W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	107mohms à 8A, 5V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	11.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	350 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	38W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	RFD3055